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参数资料
| 型号： | MRF6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR (dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
0
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 130 W (PEP), I
DQ
= 950 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
?50
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
?60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
?30
40
?35
30
?40
20
?45
?50
1 10 100
150
10
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 950 mA, f = 880 MHz
N?CDMA IS?95, Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13
31.5 32.5 33.5 34.5 35.5 36.5
37
56
P3dB = 52.54 dBm (179.47 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 880 MHz
55
54
52
50
32 3533
34 36
Actual
Ideal
P1dB = 51.8 dBm (151.36 W)
55.5
51
53
31
300
13
20
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
100
10
19
18
17
16
15
60
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Gps
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
ηD
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
250
14
20
0 20050
100 150
16
15
18
17
19
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
50
?55
ηD
ACPR
28
V
32
V
?10
54.5
53.5
52.5
51.5
50.5
14
50
19.5
18.5
17.5
16.5
15.5
14.5
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