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参数资料
| 型号： | MRF6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
?25
?5
?10
?15
?20
?30
?45
?5
?15
?25
?35
?55
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
920
840
IRL
Gps
16
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 27 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
?54
34
30
26
?44
?48
?50
920
840
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 54 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
?44
47
41
35
?34
?38
?42
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10 400100
15
20
1
IDQ
= 1400 mA
1100 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19
18
17
?20
1
IDQ
= 500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
?30
?40
?50
?60
10
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
18.5
17.5
16.5
15.5
15
VDD= 28 Vdc, Pout
= 27 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95 Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
18.5
17.5
16.5
15.5
15
16
950 mA
500 mA
?10
700 mA
1400 mA
17
18
19
?52
?46
28
32
VDD= 28 Vdc, Pout
= 54 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95 Pilot, Sync
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
19
18
17
16
44
38
?36
?40
ηD
ACPR
VDD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
700 mA
400
950 mA
1100 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
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