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参数资料
| 型号： | MRF6V2150NBR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 1492K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V TO272-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 150W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V2150NBR5DKR |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
Zo
=50?
f=27MHz
Zsource
f = 450 MHz
Zload
f=27MHz
Zload
f = 450 MHz
Zsource
VDD
=50Vdc,IDQ
= 450 mA, Pout
= 150 W CW
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
27
6.57 + j41.4
7.16 + j3.02
450
0.80 + j3.20
2.20 + j2.30
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance ? 27, 450 MHz
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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