参数资料
型号: MRF6V2150NBR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 5/18页
文件大小: 1492K
描述: MOSFET RF N-CH 50V TO272-4
产品培训模块: RF Broadcast Solutions
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 220MHz
增益: 25dB
电压 - 测试: 50V
额定电流: 2.5mA
电流 - 测试: 450mA
功率 - 输出: 150W
电压 - 额定: 110V
封装/外壳: TO-272BB
供应商设备封装: TO-272 WB-4
包装: 标准包装
其它名称: MRF6V2150NBR5DKR
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料
PDF描述
MRF6V2300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
MRF6V3090NR5 FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4
MRF6V4300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
MRF6VP11KHR6 MOSFET RF N-CH 1000W NI1230
MRF6VP121KHSR6 MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6V2150NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2150 Series 10 - 450 MHz 150 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - TO-272
MRF6V2150NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 150W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V2150NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:RF POWER MOSFET 10-450 MHz, 150 W, 50 V
MRF6V2300N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs