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参数资料
| 型号： | MRF6VP121KHSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 1167K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 100µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Pulsed RF Performance ? 785 MHz
(In Freescale 785 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W
Peak (100 W Avg.), f = 785 MHz, 128
μsec Pulse Width, 10% Duty Cycle
Power Gain
Gps
?
18.9
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
57.8
?
%
Input Return Loss
IRL
?
--16.6
?
dB
Pulsed RF Performance ? 1030 MHz
(In Freescale 1030 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W
Peak (100 W Avg.), f = 1030 MHz, Mode--S Pulse Train, 80 Pulses of 32
μsec On, 18
μsec Off, Repeated Every 40 msec, 6.4% Overall Duty
Cycle
Power Gain
Gps
?
19.8
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
59.0
?
%
Burst Droop
BDrp
?
0.21
?
dB
Pulsed RF Performance ? 1090 MHz
(In Freescale 1090 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W
Peak (100 W Avg.), f = 1090 MHz, 128
μsec Pulse Width, 10% Duty Cycle
Power Gain
Gps
?
21.4
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
56.3
?
%
Input Return Loss
IRL
?
--25.3
?
dB
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