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参数资料
| 型号： | MRF6VP121KHSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 1167K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 100µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 1090 MHZ
22
10
0
60
17
50
40
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 18. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
16
1000 3000
Gps
20
18
20
Duty Cycle = 10%
100
VDD
=50Vdc
21
IDQ
= 150 mA
f = 1090 MHz
Pulse Width = 128
μsec
19
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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