- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21720 > MRF6VP3450HSR6 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 450W NI1230S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? OFDM
12
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 14. Single--Carrier DVB--T OFDM
10
1
0.1
0.01
0.001
246810
PROBABILITY (%)
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
-- 2 0
-- 5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. 8K Mode DVB--T OFDM Spectrum
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 9 0
-- 7 0
-- 8 0
--100
-- 11 0
-- 6 0
-- 4 -- 3 -- 2 -- 1 0 1 2 3 4
4kHzBW
(dB)
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
Figure 16. Single--Carrier DVB--T OFDM Power
Gain versus Output Power
23
20
IDQ
= 1400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100 200
G
ps
, POWER GAIN (dB)
700 mA
VDD
= 50 Vdc, f = 860 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
22.5
22
21.5
20.5
20
21
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 17. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR
versus Output Power
-- 7 0
-- 5 0
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100 200
-- 6 0
VDD
= 50 Vdc, f = 860 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
IDQ
= 700 mA
1400 mA
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 18. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
-- 7 2
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
65
-- 4 6
30
20
-- 4 8
10
-- 5 2
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
60
300
35
25
-- 5 0
100
-- 5 4
-- 5 6
ηD
25_C
TC
=--30_C
Gps
ACPR
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA
f = 860 MHz, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
4kHzBW
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
1075 mA
975 mA
1250 mA
975 mA
1250 mA
1075 mA
55
50
45
40
10
15
5
-- 5 8
-- 6 0
-- 6 2
-- 6 4
-- 6 6
-- 6 8
-- 7 0
85_C
-- 3 0_C
85_C
25_C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3450HSR5 | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
| MCM01-009F4R7D-F | CAP PTFE 4.7PF 1KV SMD |
| MRF6P27160HR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
| MCM01-009F3R3D-F | CAP PTFE 3.3PF 1KV SMD |
| MRF8P9300HR6 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。