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参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 470--860 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
-- 8
-- 2
-- 6
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Single--Carrier DVB--T OFDM Power Gain, Drain Efficiency
and IRL versus Frequency ? 470--860 MHz
24
22
20
36
34
32
30
22
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
19
18
16
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
23
21
20
0
-- 4
V17
DD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA
Pout
= 90 W Avg., 8K Mode OFDM
470 500 530 560 590 620 650 680 710 740 770 800 830
860
28
26
24
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 23. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=50Vdc,Pout
= 90 W Avg., and
ηD
= 28%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
104
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
108
105
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3450HSR5 | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
| MCM01-009F4R7D-F | CAP PTFE 4.7PF 1KV SMD |
| MRF6P27160HR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
| MCM01-009F3R3D-F | CAP PTFE 3.3PF 1KV SMD |
| MRF8P9300HR6 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |
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