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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1400
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 23 Watts Avg.
?25
?5
?10
?15
?20
19
18
17
?41
35
34
33
32
?36
?37
?38
?39
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
14
13
12
11
10
1425 1450 1475 1500 1525 1550 1575 1600
31
?40
?30
PARC (dB)
?1.1
?0.7
?0.8
?0.9
?1
?1.2
ACPR (dBc)
Figure 4. CW Power Gain versus Output Power
10 200100
20
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 28 Vdc, f = 1490
MHz
CW Measurements
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
IDQ
= 900
mA
750 mA
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
1 10010
?70
?10
?20
?30
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?40
IM3?U
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM7?U
Figure 6. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?1
?3
?5
25
0
?2
?1 dB = 24.14 W
?2 dB = 32.65 W
?4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
15
35 45 6555
25
55
50
45
40
35
30
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
?3 dB = 43.29 W
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
?45
?15
?20
?25
?35
?30
?40
21
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
19
18
17
16
15
Gps
20
IRL
Gps
ACPR
ηD
PARC
VDD= 28 Vdc, Pout
= 23 W (Avg.)
IDQ
= 600 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
?60
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 90 W (PEP), I
DQ
= 600 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1490 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, f = 1490 MHz, Single?Carrier
W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
19
600 mA
450 mA
300 mA
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