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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, 1470-1510 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
100
—
W
IMD Symmetry @ 90 W PEP, Pout
where IMD Third Order
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
40
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
70
—
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
= 23 W Avg.
GF
—
0.2
—
dB
Average Deviation from Linear Phase in 40 MHz Bandwidth
@ Pout
= 100 W CW
Φ
—
4.5
—
°
Average Group Delay @ Pout
= 100 W CW, f = 1490 MHz
Delay
—
1.9
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 100 W CW,
f = 1490 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
—
23
—
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
—
0.010
—
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
—
0.007
—
W/°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S16150HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF7S16150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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