参数资料
型号: MRF7S15100HR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 13/13页
文件大小: 234K
描述: MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.51GHz
增益: 19.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 600mA
功率 - 输出: 23W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780
供应商设备封装: NI-780
包装: 带卷 (TR)
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 10
Ω
Zload
Zsource
f = 1570 MHz
f = 1410 MHz
f = 1410 MHz
f = 1570 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 23 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1410
2.51 - j5.82
4.12 - j4.20
1430
2.53 - j5.58
3.95 - j4.07
1450
2.55 - j5.36
3.78 - j3.94
1470
2.58 - j5.15
3.61 - j3.80
1490
2.62 - j4.97
3.45 - j3.65
1510
2.67 - j4.81
3.30 - j3.51
1530
2.73 - j4.68
3.15 - j3.37
1550
2.79 - j4.57
3.00 - j3.22
1570
2.85 - j4.49
2.87 - j3.06
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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MRF7S15100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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