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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single-Carrier W-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
?25
?32
10
22
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, f = 1490
MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz
0
90
25C
C
75
C
60
45
30
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
Channel Bandwidth
18
10 100 200
15
?60
ACPR (dBc)
16
14
12
?18
?39
?46
?53
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
25
1150
1250
1350 1450 1550 1650 1750 1850 22501950 2050 2150
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 600 mA
15
10
S21 (dB)
20
S21
S11
?25
0
?5
?10
?15
?20
S11 (dB)
5
TC
= ?30
C
Gps
ηD
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
?30
ACPR
25C
85C
85C
85C
25
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 23 W Avg., and
ηD
= 32%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
108
107
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
106
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S16150HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S18125AHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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