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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 51.63
dBm (146
W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600
mA, Pulsed CW
10 μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1500
MHz
51
49
47
37
Actual
Ideal
52
50
46
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE:
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
48
53
54
55
56
35
34
33
27
32
31
30
29
28
P1dB = 50.95
dBm (125
W)
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
2.02 + j6.21
2.00 - j3.65
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S16150HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S18125AHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| MRF7S18125BHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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