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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 代理商： | MRF7S18125AHR3 |
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.07 dBm (202.7 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1100 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f =1840 MHz
56
54
52
37
39
38
40
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.105 dBm
(162.4 W)
57
55
49
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
61
35
34
33
30
41
32
31
P6dB = 53.68 dBm (233.3 W)
51
50
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
0.60 - j2.81
1.05 - j2.36
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
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