参数资料
型号: MRF8P8300HR5
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
文件页数: 12/15页
文件大小: 641K
代理商: MRF8P8300HR5
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
730
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 96 Watts Avg.
--16
0
--4
--8
--12
25
24
--40
36
34
32
30
--30
--32
--34
--36
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 22
20
18
16
750
770
790
810
830
850
870
890
28
--38
--20
PARC
PA
RC
(d
B)
--2.2
--1
--1.3
--1.6
--1.9
--2.5
AC
PR
(d
Bc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 290 W (PEP), IDQ = 2000 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 805 MHz
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
70
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
40
100
130
20
56
50
44
38
32
26
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1dB = 75.1W
--2dB = 110.5W
--3 dB = 153.4 W
190
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--55
--25
--30
--35
--45
--40
--50
22
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
21.5
21
20.5
20
19.5
19
Gps
23
21
19
17
15
VDD =28 Vdc,IDQ = 2000 mA, f = 805 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
VDD =28 Vdc,Pout =96 W (Avg.),IDQ = 2000 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
ηD
160
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
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PDF描述
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