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参数资料
| 型号： | MRF8P8300HR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | MRF8P8300HR5 |
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQA = 1000 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
57
54
51
58.5
55.5
46.5
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
52.5
60
25
61.5
49.5
48
26.5
Ideal
Actual
822 MHz
45
28 29.5 31 32.5 34 35.5
37 38.5 40 41.5
806 MHz
790 MHz
822 MHz
806 MHz
790 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
790
288
54.6
363
55.6
806
299
54.8
366
55.6
822
287
54.6
349
55.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
790
P1dB
1.04 -- j0.98
0.78 -- j0.73
806
P1dB
1.16 -- j1.39
0.76 -- j0.71
822
P1dB
1.24 -- j1.73
0.76 -- j0.74
Figure 12. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on a per side basis.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8P8300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P8300HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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