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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 48 Watts Avg.
17
19
-- 3 8
34
32
31
--36.4
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.8
18.6
18.4
2080 2100 2120 2140 2160 2180 2200 2220
-- 3 4
-- 1 7
PARC
PARC (dB)
ACPR (dBc)
17.8
17.4
-- 8
VDD=28Vdc,Pout
=48W(Avg.),IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
17.2
17.6
18.2
18
--37.2
--35.6
--34.8
30
33
--15.2
--13.4
-- 11 . 6
-- 9 . 8
-- 2 . 5
0
-- 2
-- 1 . 5
-- 1
-- 0 . 5
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
VDD
=28Vdc,Pout
= 140 W (PEP), IDQ
= 1400 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
20
40 12060
80
100
PARC
18
48
D
43
38
33
28
23
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 1 d B = 4 2 W
η
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
19
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
18
17.5
17
16.5
16
-- 2 d B = 5 7 W
-- 3 d B = 7 6 W
ACPR
-- 1 0
Gps
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, f = 2140 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input
Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
ηD
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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