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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
Figure 2. MRF8S21200HR6(HSR6) Test Circuit Component Layout
*C1 and C11 are mounted vertically.
R1
C1*
R2
R3
R4
C2
C3
C4
C11*
C12
C13
C14
C5
C6
C7
C8
C15
C16
C17
C18
C9
C10
R5
MRF8S21200H
Rev. 2
Table 5. MRF8S21200HR6(HSR6) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1,C4,C5,C11,C12,C13
8.2 pF Chip Capacitors
ATC100B8R2CT500XT
ATC
C2
0.2 pF Chip Capacitor
ATC100B0R2BT500XT
ATC
C3
0.6 pF Chip Capacitor
ATC100B0R6BT500XT
ATC
C6, C7, C14, C15, C16, C17
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X5R1H106MT
TDK
C8
0.5 pF Chip Capacitor
ATC100B0R5BT500XT
ATC
C9
0.8 pF Chip Capacitor
ATC100B0R8BT500XT
ATC
C10
0.3 pF Chip Capacitor
ATC100B0R3BT500XT
ATC
C18
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
R1
22
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120622R0FKEA
Vishay
R2, R3
12
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120612R0FKEA
Vishay
R4, R5
0
?, 3 A Chip Resistors
CRCW12060000Z0EA
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C40H101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FF121G-TF | CAP MICA 120PF 1KV 2% 2220 |
| B84312C60B101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| B84312C60B1 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S21200HSR5 | 功能描述:射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| MRF8S21200HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S23120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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