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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=65Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 300
μAdc)
VGS(th)
1.2
2.0
2.7
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
=28Vdc,ID
= 1400 mA, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
2.0
2.7
3.5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=3Adc)
VDS(on)
0.1
0.17
0.3
Vdc
Functional Tests
(1)
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
= 48 W Avg., f = 2140 MHz,
Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude
Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Power Gain
Gps
16.5
18.1
19.5
dB
Drain Efficiency
ηD
30.0
32.6
?
%
Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF
PAR
5.7
6.3
?
dB
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
--37.1
--35.0
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-- 1 5
-- 7
dB
Typical Broadband Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=48WAvg.,
Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude
Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
2110 MHz
17.8
32.6
6.4
--37.7
-- 1 5
2140 MHz
18.1
32.6
6.3
--37.1
-- 1 5
2170 MHz
18.1
32.9
6.2
--36.2
-- 1 3
1. Part internally matched both on input and output.
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C40H101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FF121G-TF | CAP MICA 120PF 1KV 2% 2220 |
| B84312C60B101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| B84312C60B1 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| B84312C50H101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S21200HSR5 | 功能描述:射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| MRF8S21200HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S23120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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