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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
10
22
0
60
D
50
40
30
ps
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10 100
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
20
18
0
-- 2 0
Figure 7. Broadband Frequency Response
3
21
1750
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 1400 mA
12
9
1850
GAIN (dB)
18
Gain
1950 2050 2150 2350 25502250
2450
IRL
-- 1 8
0
-- 3
-- 6
-- 9
-- 1 2
IRL (dB)
-- 1 5
16
14
12
-- 5 0
-- 4 0
-- 3 0
6
15
G
VDD=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
2140 MHz
2170 MHz
f = 2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
300
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
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PDF描述 |
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参数描述 |
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