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参数资料
| 型号： | MRF8S21200HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 18.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 48W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
33 4134 38 39 4036
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
57
55
53
37
58
56
50
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
54
59
61
35
32
31
60
52
51
30
Ideal
Actual
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
f = 2140 MHz
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
f = 2140 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
231
53.6
276
54.4
2140
230
53.6
279
54.5
2170
229
53.6
277
54.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2110
P1dB
2.14 -- j5.14
0.77 -- j1.44
2140
P1dB
3.28 -- j6.37
0.75 -- j1.52
2170
P1dB
5.59 -- j7.20
0.67 -- j1.41
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C40H101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FF121G-TF | CAP MICA 120PF 1KV 2% 2220 |
| B84312C60B101 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S21200HSR5 | 功能描述:射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| MRF8S21200HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S23120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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