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参数资料
| 型号： | MRF8S9220HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 347K |
| 描述： | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 65W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 65 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
820
1.27 - j1.44
2.14 - j2.23
840
1.27 - j1.15
1.97 - j1.94
860
1.23 - j0.90
1.82 - j1.65
880
1.05 - j0.68
1.54 - j1.40
900
0.95 - j0.39
1.29 - j1.11
920
0.94 - j0.15
1.26 - j0.85
940
0.90 + j0.08
1.22 - j0.69
960
0.85 + j0.31
1.11 - j0.47
980
0.78 + j0.55
1.01 - j0.23
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9260HSR3 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| MRF9002NR2 | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
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| MRF9045NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8S9260HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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