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参数资料
| 型号： | MRF8S9220HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 347K |
| 描述： | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 65W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9260HSR3 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| MRF9002NR2 | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
| MRF9030NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| MRF9045LR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| MRF9045NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9220HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9232NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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