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参数资料
| 型号： | MRF8S9220HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 347K |
| 描述： | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 65W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 1600 mA, 920-960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
220
?
W
IMD Symmetry @ 200
W PEP, Pout
where IMD Third Order
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
12
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
40
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
= 65 W Avg.
GF
?
0.3
?
dB
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.017
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.016
?
dBm/°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S9260HSR3 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| MRF9002NR2 | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
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| MRF9045LR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| MRF9045NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9220HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9232NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9260HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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