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参数资料
| 型号： | MRF9002NR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 394K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 电流 - 测试： | 25mA |
| 功率 - 输出： | 37dBm |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | 16-SOP（0.276"，7.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-PFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9002NR2
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 20
μAdc)
VGS(th)
2.4
—
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 26 Vdc, I
D
= 25 mAdc)
VGS(Q)
3
—
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 0.1 Adc)
VDS(on)
—
0.3
—
Vdc
Functional Tests (Per Transistor in Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Common-Source Amplifier Power Gain @ P1dB
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
Gps
15
18
—
dB
Drain Efficiency @ P1dB
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
η
35
50
—
%
Input Return Loss @ P1dB
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
IRL
—
-
-
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
P1dB
34
37
—
dBm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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