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参数资料
| 型号： | MRF9002NR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 394K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 电流 - 测试： | 25mA |
| 功率 - 输出： | 37dBm |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | 16-SOP（0.276"，7.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-PFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9002NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS
Crss
Ciss
30
2
12
22
VDS, DRAIN SOURCE SUPPLY (VOLTS)
Figure 10. Capacitance versus Drain Source Voltage
Coss
23 24 25 26 27 28 29
3
4
5
6
7
8
9
10
11
C, CAPACITANCE (pF)
100 120 140 160 180 200
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
106
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
107
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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