参数资料
型号: MRF9045LR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/11页
文件大小: 591K
描述: IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 945MHz
增益: 18.8dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 350mA
功率 - 输出: 55W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-360
供应商设备封装: NI-360
包装: 带卷 (TR)
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
PRODUCT DOCUMENTATION
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Engineering Bulletins
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EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
11
Sept. 2008
?
Replaced Case Outline 360C--05, Issue E with Issue F, p. 8--9.
?
Added Product Documentation and Revision History, p. 10
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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PDF描述
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参数描述
MRF9045LR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9045LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9045LSR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9045LSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W RF PWR LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9045M 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET