- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF9045LR1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF9045LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 591K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 18.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 55W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=65Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 150
μAdc)
VGS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
=28Vdc,ID
= 350 mAdc)
VGS(Q)
?
3.7
?
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=1Adc)
VDS(on)
?
0.19
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
=10Vdc,ID
=3Adc)
gfs
?
4
?
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Ciss
?
69
?
pF
Output Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Coss
?
37
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Crss
?
1.5
?
pF
(continued)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9045NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| MRF9060LR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| MRF9080LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF9120LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| MRFE6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9045LR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9045LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W RF PWR LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045M | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。