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参数资料
| 型号： | MRF9045LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 591K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 18.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 55W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
Figure 8. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
930
945
960
1.02 + j0.06
1.15 + j0.25
1.10 + j0.11
2.6 + j0.20
2.6 + j0.16
2.6 + j0.10
VDD
=28V,IDQ
= 350 mA, Pout
= 45 W PEP
f = 930 MHz
Zo
=5?
f = 960 MHz
f = 930 MHz
f = 960 MHz
Zsource
Zload
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9045NBR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| MRF9060LR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| MRF9080LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF9120LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| MRFE6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9045LR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9045LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W RF PWR LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045M | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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