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参数资料
| 型号： | MRF9045LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 591K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 18.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 55W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Two--Tone Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
Gps
17
18.8
?
dB
Two--Tone Drain Efficiency
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
38
42
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
?
-- 3 2
-- 2 8
dBc
Input Return Loss
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
?
-- 1 4
-- 9
dB
Two--Tone Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
Gps
?
18.5
?
dB
Two--Tone Drain Efficiency
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
?
41
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
?
-- 3 3
?
dBc
Input Return Loss
(VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W PEP, IDQ
= 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
?
13
?
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD
=28Vdc,Pout
=45WCW,IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz)
P1dB
?
55
?
W
Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
=28Vdc,Pout
=45WCW,IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz)
Gps
?
18
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
=28Vdc,Pout
=45WCW,IDQ
= 350 mA,
f1 = 945.0 MHz)
η
?
60
?
%
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF9045LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W RF PWR LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045M | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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