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参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B-03
ISSUE D
NI-880
MRFE6S9200HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M?1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. DELETED
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.335 1.345 33.91 34.16
B
0.535 0.545 13.6 13.8
C
0.147 0.200 3.73 5.08
D
0.495 0.505 12.57 12.83
E
0.035 0.045 0.89 1.14
F
0.003 0.006 0.08 0.15
G
1.100 BSC 27.94 BSC
H
0.057 0.067 1.45 1.70
K
0.170 0.210 4.32 5.33
N
0.871 0.889 19.30 22.60
Q
.118 .138 3.00 3.51
R
0.515 0.525 13.10 13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
F
Q
2X
bbb BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
B
B
(FLANGE)
T
SEATING
PLANE
ccc BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
AA
(FLANGE)
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
(INSULATOR)
aaa BT
A
M
M
M
R
(LID)
ccc BT
A
M
M
M
S
0.515 0.525 13.10 13.30
M
0.872 0.888 22.15 22.55
aaa
0.007 REF 0.178 REF
bbb
0.010 REF 0.254 REF
ccc
0.015 REF 0.381 REF
CASE 465C-02
ISSUE D
NI-880S
MRFE6S9200HSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M?1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.905 0.915 22.99 23.24
B
0.535 0.545 13.60 13.80
C
0.147 0.200 3.73 5.08
D
0.495 0.505 12.57 12.83
E
0.035 0.045 0.89 1.14
F
0.003 0.006 0.08 0.15
H
0.057 0.067 1.45 1.70
K
0.170 0.210 4.32 5.33
N
0.871 0.889 19.30 22.60
R
0.515 0.525 13.10 13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
T
SEATINGPLANE
AA
2
D
K
C
E
H
F
bbb BT
A
M
M
M
B
B
(FLANGE)
ccc BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
(FLANGE)
N
(LID)
M
(INSULATOR)
ccc BT
A
M
M
M
aaa BT
A
M
M
M
R
(LID)
S
(INSULATOR)
S
0.515 0.525 13.10 13.30
M
0.872 0.888 22.15 22.55
bbb
0.010 REF 0.254 REF
ccc
0.015 REF 0.381 REF
aaa
0.007 REF 0.178 REF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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