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参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 58 W Avg., and
ηD
= 35%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
28 V
IDQ
= 1400 mA
f = 880 MHz
VDD
= 24 V
108
32 V
200
17
22
0 100
19
20
21
400
18
300
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 14. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ 5 MHz Offset.
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
Input Signal
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
?100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8 5.43.6
0
?7.2
?5.4
?3.6
?1.8
?9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| MRFE6S9205HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6VP5600HR5 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
| MRFE6VP61K25HSR6 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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