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参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dBc)
?16
0
?4
?9
?12
960
800
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 58 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
15
23
22
21
20
19
18
17
16
?1.5
38
34
30
26
?0.3
?0.6
?0.9
?1.2
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dBc)
?15
?3
?6
?9
?12
960
800
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 99 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
14
22
21
20
19
18
17
16
15
?3
51
45
39
33
?2.2
?2.4
?2.6
?2.8
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 600100
17
23
1
IDQ
= 2100 mA
1750 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc
f1 = 875 MHz, f2 = 885 MHz
Two?Tone Measurements
700 mA
1400 mA
1050 mA
22
21
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
0
1
IDQ
= 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1400 mA
1750 mA
1050 mA
2100 mA
100
?10
?20
?30
?40
600
?60
?50
VDD
= 28 Vdc
f1 = 875 MHz, f2 = 885 MHz
Two?Tone Measurements
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
VDD= 28 Vdc, Pout
= 99 W (Avg.)
IDQ
= 1400 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
19
18
VDD= 28 Vdc, Pout
= 58 W (Avg.)
IDQ
= 1400 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
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| MRFE6VP5600HR5 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
| MRFE6VP61K25HSR6 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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