- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFE6VP61K25HSR6 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6VP61K25HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 895K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 1250W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
+
+
+
+
+
+
+
RF
INPUT
Z1 Z2
Z3
C3
Z4
C1
COAX1
COAX2
Z5
C2
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
C4 C5
V
BIAS
L1
L2
V
BIAS
C10 C11 C12 C13
C6 C7 C8 C9
R1
R2
Z11
Z13
Z14
DUT
Z12
Z15
Z16
L3
Z19
Z17
Z21
Z22
Z18
Z20
Z23 Z25
Z24 Z26
C14 C15
L4
C21 C22 C23 C24
C25 C26 C27 C28
Z27
Z28
C16
C17
C18
C19
COAX4
COAX3
Z29 Z30
C20
RF
OUTPUT
V
SUPPLY
V
SUPPLY
Table 7. MRFE6VP61K25HR6(HSR6) 230 MHz Production Test Circuit Microstrips — Pulse
Description
Microstrip
Description
Microstrip
Description
Microstrip
Z1 0.192
??
0.082
?
Microstrip
Z2 0.175
??
0.082
?
Microstrip
Z3, Z4 0.170
??
0.100
?
Microstrip
Z5, Z6 0.116
??
0.285
?
Microstrip
Z7, Z8 0.116
??
0.285
?
Microstrip
Z9, Z10 0.108
??
0.285
?
Microstrip
Figure 3. MRFE6VP61K25HR6(HSR6) 230 MHz Production Test Circuit Schematic — Pulse
Z11*, Z12* 0.872
??
0.058
?
Microstrip
Z13, Z14 0.412
??
0.726
?
Microstrip
Z15, Z16 0.371
??
0.507
?
Microstrip
Z17*, Z18* 0.466
??
0.363
?
Microstrip
Z19*, Z20* 0.187
??
0.154
?
Microstrip
Z21, Z22 0.104
??
0.507
?
Microstrip
Z23, Z24 1.251
??
0.300
?
Microstrip
Z25, Z26 0.127
??
0.300
?
Microstrip
Z27, Z28 0.116
??
0.300
?
Microstrip
Z29 0.186
??
0.082
?
Microstrip
Z30 0.179
??
0.082
?
Microstrip
* Line length includes microstrip bends
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。