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参数资料
| 型号： | MRFE6VP61K25HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 895K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 1250W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — 144--148 MHz REFERENCE CIRCUIT
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, Pout
= 1100 W CW
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
144
1.6 + j5.0
3.9 + j1.5
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to drain, balanced configuration.
Figure 19. Series Equivalent 144--148 MHz Reference Circuit Source and Load Impedance
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
Zsource
Zload
50
?
50
?
31
20
90
50
28
70
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 20. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
?
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
26
24
2000
25
40
60
80
27
29
1000
?D
VDD
=50Vdc,IDQ
= 2500 mA, f = 144 MHz
30
100
30
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 21. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
--100
0
-- 2 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
-- 3 0
-- 4 0
IDQ= 2500 mA
10 1000100 2000
-- 2 0
VDD=50Vdc
f1 = 143.9 MHz, f2 = 144.1 MHz
Two--Tone Measurement
3rd Order
3rd Order
7th Order
7th Order
5th Order
4500 mA
4500 mA
Gps
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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