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参数资料
| 型号： | MRFE6VP61K25HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 895K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 1250W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS — 87.5--108 MHz FM BROADCAST REFERENCE CIRCUIT
30
20
90
40
28
70
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 15. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
?
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
26
23
2000
25
40
60
80
27
29
1000
?D
Gps
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA
24
30
100
108 MHz
98 MHz
87.5 MHz
108 MHz
98 MHz
87.5 MHz
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, Pout
= 1100 W CW
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
87.5
2.20 + j6.70
4.90 + j2.90
98
2.30 + j6.90
4.10 + j2.50
108
2.30 + j7.00
4.40 + j3.60
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to drain, balanced configuration.
Figure 16. Series Equivalent 87.5--108 MHz FM Broadcast Reference Circuit Source and Load Impedance
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
Zsource
Zload
50
?
50
?
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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