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参数资料
| 型号： | MT46V4M16 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 1梅格× 16 × 4银行DDR SDRAM内存（100万× 16 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 36/69页 |
| 文件大小： | 2369K |
| 代理商： | MT46V4M16 |
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36
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
Figure 24
WRITE to PRECHARGE – Odd Number of Data, Interrupting
t
DQSS
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
PRE
9
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
Bank,
(
a
or
all
)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
NOTE
: 1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. Subsequent element of data-in is applied in the programmed order following DI
b
.
3. An interrupted burst of 4 is shown; two data elements are written.
4.tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The PRECHARGE and WRITE commands are to the same bank.
6. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
7. DQS is required at T1n, T2, and T2n (nominal case) to register DM.
8. If the burst of 8 was used, DM would be required at T3 and T3n and not at T4 and T4n because the PRECHARGE
command would mask the last two data elements.
9. PRE = PRECHARGE command.
T1n
T6
t
WR
t
RP
DQ
DQS
DM
DI
b
t
DQSS
t
DQSS (MIN)
DQ
DQS
DM
t
DQSS
t
DQSS (MAX)
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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