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参数资料
| 型号： | MT46V4M16 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 1梅格× 16 × 4银行DDR SDRAM内存（100万× 16 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 62/69页 |
| 文件大小： | 2369K |
| 代理商： | MT46V4M16 |
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62
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
AUTO REFRESH MODE
CK
CK#
COMMAND
1
NOP
2
VALID
VALID
NOP
2
NOP
2
PRE
CKE
RA
A0-A9, A11
1
A10
1
BA0, BA1
1
Bank(s)
3
BA
NOTE
:
1. PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, AR = AUTO REFRESH, RA = Row Address, BA = Bank Address.
2. NOP commands are shown for ease of illustration; other valid commands may be possible at these times. CKE must be active (high)
during clock positive transitions.
3.
“
Don
’
t Care
”
if A10 is HIGH at this point; A10 must be HIGH if more than one bank is active (i.e., must precharge all active banks).
4. QFC, DM, DQ, and DQS signals are all
“
Don
’
t Care
”
/High-Z for operations shown.
5. The second AUTO REFRESH is not required and is only shown as an example of two back-to-back AUTO REFRESH commands.
AR
NOP
2
AR
5
NOP2
ACT
NOP2
ONE BANK
ALL BANKS
t
CK
t
CH
t
CL
t
IS
t
IS
t
IH
t
IH
t
IS
t
IH
RA
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
DQ
4
DM
4
DQS
4
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
(
)
(
)
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
(
)
(
)
)
(
)
(
)
tRFC
5
tRP
tRFC
T0
T1
T2
T3
T4
Ta0
Tb0
Ta1
Tb1
Tb2
DON
’
T CARE
(
)
(
)
(
)
(
)
TIMING PARAMETERS
-7
-75
-8
SYMBOL
t
CH
t
CL
t
CK (2.5)
t
CK (2)
MIN
0.45
0.45
7
7.5
MAX
0.55
0.55
12
12
MIN
0.45
0.45
7.5
10
MAX
0.55
0.55
12
12
MIN
0.45
0.45
8
10
MAX
0.55
0.55
12
12
UNITS
t
CK
t
CK
ns
ns
-7
-75
-8
SYMBOL
t
IH
t
IS
t
RFC
t
RP
MIN
1
1
67
15
MAX
MIN
1
1
75
20
MAX
MIN
1.1
1.1
80
20
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
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PDF描述 |
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