型号: | MTB30N06VL |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | CASE 418B-03, D2PAK-3 |
文件页数: | 7/10页 |
文件大小: | 259K |
代理商: | MTB30N06VL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTB33N10ET4 | 33 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTB33N10E | 33 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTB33N10ET4 | 33 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTB35N06ZL | 35 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTB35N06ZLT4 | 35 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTB30N06VLT4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
MTB30P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS |
MTB30P06V | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
MTB30P06VG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
MTB30P06VT4 | 功能描述:MOSFET 60V 30A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |