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参数资料
| 型号： | MTD20P06HDLT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 72W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTD20P06HDLT4OS |
MTD20P06HDL
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
30
25
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
30
25
V DS ≥ 5 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
20
15
10
5
7V
6V
5V
4V
20
15
10
5
100 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.40
V GS = 5 V
0.275
T J = 25 ° C
0.250
0.32
0.225
0.24
T J = 100 ° C
0.200
0.16
25 ° C
? 55 ° C
0.175
0.150
V GS = 5 V
0.08
0.125
10 V
0
0
5
10
15
20
25
30
0.100
0
5
10
15
20
25
30
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
1.6
V GS = 5 V
I D = 7.5 A
100
V GS = 0 V
1.4
1.2
1
T J = 125 ° C
0.8
0.6
0.4
0.2
10
100 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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