参数资料
型号: MTD20P06HDLT4
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
产品变化通告: Product Discontinuation 30/Jun/2004
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 175 毫欧 @ 7.5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V
功率 - 最大: 72W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MTD20P06HDLT4OS
MTD20P06HDL
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
7
相关PDF资料
PDF描述
MTD2955VT4 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
MTD3010N PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18
MTD3010PM PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18
MTD3055VL MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
MTD3055V MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
MTD214 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Ethernet Encoder/Decoder and 10BaseT Transceiver with Built-in Waveform Shaper
MTD2525J 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:DMOS Microstepping Dual PWM Motor Driver
MTD2955E 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
MTD2955ET4 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MTD2955V 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube