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参数资料
| 型号： | MTD2955VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTD2955VT4OS |
MTD2955V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
25
20
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
24
21
18
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
100 ° C
15
10
5
7V
6V
5V
15
12
9
6
3
0
0
1
2
3 4 5
6 7 8
9
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
25 ° C
? 55 ° C
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
15 V
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.050
0
3
6
9
12 15
18
21
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10 V
I D = 6 A
1000
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
100 ° C
0
? 50
? 25
0 25 50 75 100 125
150
175
10
0
10
20
30 40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3010N | PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| MTD3010PM | PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MTD2N20 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
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| MTD2N40ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTD2N50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT |
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