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参数资料
| 型号： | MTD2955VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTD2955VT4OS |
MTD2955V
SAFE OPERATING AREA
100
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
225
200
I D = 12 A
10
T C = 25 ° C
100 m s
175
150
125
1.0
1 ms
10 ms
dc
100
75
R DS(on) LIMIT
50
0.1
0.1
1.0
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
100
25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1 0.05
0.02
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
t, TIME (s)
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
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