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参数资料
| 型号： | MTD2955VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTD2955VT4OS |
MTD2955V
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK ? 3
CASE 369C ? 01
ISSUE O
B
C
? T ?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
S
1
R
4
2
3
A
K
E
U
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.14
4.58 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
2.60 2.89
F
G
L
D
J
H
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
L 0.090 BSC
R 0.180 0.215
S 0.025 0.040
U 0.020 ???
V 0.035 0.050
Z 0.155 ???
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
2.29 BSC
4.57 5.45
0.63 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6 .17 2
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
8
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