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参数资料
| 型号： | MUBW50-06A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 800µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-06 A8
Input Rectifier Bridge D11 - D16
120
500
10 4
A
I F 90
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
A
400
I FSM
T VJ = 45°C
A 2 s
I 2 t
300
T VJ = 45°C
60
10
3
200
T VJ = 150°C
30
100
T VJ = 150°C
50Hz, 80% V RRM
0
0
10 2
0
1
2
V
3
0.001 0.01
0.1
s
1
1
2
3
8 9
4 5 6 7 ms 10
450
W
400
350
P tot
300
250
200
150
V F
Fig. 1 Forward current versus
voltage drop per diode
t
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
5 K/W
140
A
120
I d(AV)
100
80
60
t
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
40
100
50
0
20
0
0
40
80
120
A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
I d(AV)M
T amb
T C
Fig. 4
Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin 180°
Fig. 5 Max. forward current
versus case temperature
1.2
K/W
1.0
Z thJC
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
DWN 21
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
? 2007 IXYS All rights reserved
t
20070921a
5-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUBW50-12T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW50-17T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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