- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录628 > MUBW50-06A8 (IXYS)MODULE IGBT CBI E3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MUBW50-06A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 800µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-06 A8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
I C
150
A
120
V GE = 17 V
15 V
13 V
I C
150
A
120
V GE = 17 V
15 V
13 V
90
60
11 V
90
60
11 V
30
9V
30
9V
0
T VJ = 25°C
0
T VJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6 V 7
0
1
2
3
4
5
6 V 7
V CE
Fig. 7 Typ. output characteristics
160
100
V CE
Fig. 8 Typ. output characteristics
A
V CE = 20 V
A
I C
120
I F
80
60
80
40
T VJ = 125°C
40
T VJ = 125°C
20
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
0
0
4
6
8
10
12
14 V 16
0.5
1.0
1.5
V
2.0
V GE
Fig. 9 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 10 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
20
50
200
V GE
V
15
V CE = 600 V
I C = 35 A
I RM
A
40
30
t rr
ns
160
120
t rr
10
20
80
5
10
I RM
T VJ = 125°C
V R = 300 V
I F = 30 A
40
0
0
40
80
120
nC
160
0
0
200
400
600
MUBW50-06A8
A/
800 μ s 1000
0
Q G
Fig. 11 Typ. turn on gate charge
? 2007 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 12 Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
20070921a
6-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW50-12A8 | MODULE IGBT CBI E3 |
| MUBW50-12T8 | MODULE IGBT CBI E3 |
| MUBW50-17T8 | MODULE IGBT CBI E3 |
| MUBW6-06A6 | MODULE IGBT CBI E1 |
| MUBW75-06A8 | MODULE IGBT CBI E3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUBW50-12A8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW50-12E8 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW50-12T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW50-17T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW6-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。