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参数资料
| 型号： | MUBW50-06A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 800µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-06 A8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
9
mJ
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 39 Ω
Eon
180
ns
150
5
mJ
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 39 Ω
500
ns
400
E on
6
T VJ = 125°C
120 t
E off
E off
T VJ = 125°C
t
td(on)
90
3
300
3
tr
60
2
200
0
30
0
1
0
t d(off)
t f
100
0
0
20
40
60
80
100 A 120
0
20
40
60
A
80
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
4
mJ
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
Eon
160
ns
3
mJ
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
600
ns
I C
I C
E on
= 35 A
T VJ = 125°C
120
t
E off
2
= 35 A
T VJ = 125°C
400
t
2
td(on)
tr
80
1
t d(off)
E off
200
40
0
0
10
20
30
40
0
50 Ω 60
0
0
10
20
30
40
t f
0
50 Ω 60
R G
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
Fig.16
Typ. turn off energy and switching
120
times versus gate resistor
10
times versus gate resistor
I CM
A
100
80
K/W
1
Z thJC
diode
IGBT
0.1
60
0.01
40 R G = 39 Ω
T VJ = 125°C
20
0
0.001
0.0001
single pulse
MUBW5006A8
0
200
400
600
800 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
RBSOA
20070921a
? 2007 IXYS All rights reserved
7-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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