参数资料
型号: MW6S004NT1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/13页
文件大小: 498K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.96GHz
增益: 18dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 50mA
功率 - 输出: 4W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: PLD-1.5
供应商设备封装: PLD-1.5
包装: 标准包装
产品目录页面: 560 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MW6S004NT1DKR
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S004NT1
Table 7. Common Source Scattering Parameters (VDD
= 28 V, 50 ohm system) (continued)
IDQ
= 50 mA
f
MHzMH
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2500
0.952
150.340
1.211
-25.120
0.006
84.160
0.899
-179.270
2550
0.950
149.010
1.187
-26.920
0.006
80.780
0.897
179.420
2600
0.949
147.380
1.166
-28.650
0.006
77.880
0.897
178.120
2650
0.948
145.920
1.144
-30.420
0.007
74.670
0.898
176.840
2700
0.944
144.200
1.121
-32.310
0.007
71.360
0.896
175.480
2750
0.944
142.790
1.105
-34.230
0.007
67.980
0.897
174.060
2800
0.943
141.020
1.088
-36.000
0.007
63.950
0.897
172.930
2850
0.941
139.410
1.073
-37.870
0.007
61.230
0.896
171.630
2900
0.940
137.640
1.058
-39.760
0.008
59.810
0.896
170.330
2950
0.938
135.900
1.045
-41.680
0.008
58.280
0.896
169.040
3000
0.937
133.860
1.032
-43.610
0.008
56.740
0.895
167.510
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