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参数资料
| 型号： | MW6S004NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 498K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 50mA |
| 功率 - 输出： | 4W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MW6S004NT1DKR |
MW6S004NT1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MW6S004NT1 Test Circuit Schematic
Z7 0.210″
x 1.220
″
Microstrip
Z8 0.054″
x 0.680
″
Microstrip
Z9 0.054″
x 0.260
″
Microstrip
Z10 0.025″
x 0.930
″
Microstrip
PCB Arlon CuClad 250GX-0300-55-22, 0.020″,
ε
r
= 2.5
Z1 0.054″
x 0.430
″
Microstrip
Z2 0.054″
x 0.137
″
Microstrip
Z3 0.580″
x 0.420
″
Microstrip
Z4 0.580″
x 0.100
″
Microstrip
Z5 0.025″
x 0.680
″
Microstrip
Z6 0.210″
x 0.100
″
Microstrip
RF
OUTPUT
VBIAS
VSUPPLY
RF
INPUT
DUT
Z1
C2
R1
C8
+
C1
C7
R2
Z5
R3
Z2
Z3
Z4
Z6
Z10
C3
C4
C5
Z7
Z8
C6
Z9
Table 6. MW6S004NT1 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1
100 nF Chip Capacitor
CDR33BX104AKYS
Kemet
C2, C3, C6, C7
9.1 pF Chip Capacitors
ATC100B9R1CT500XT
ATC
C4, C5
10 μF, 50 V Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88B
Murata
C8
10 μF, 35 V Tantalum Chip Capacitor
T490D106K035AT
Kemet
R1
1 kΩ, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12061001FKEA
Vishay
R2
10 kΩ, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12061002FKEA
Vishay
R3
10 Ω, 1/4 W
Chip Resistor
CRCW120610R0FKEA
Vishay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW6S010GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW |
| MW6S010MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| MX3AWT-A1-R250-000D51 | LED COOL WHITE 6500K 2PLCC |
| MX3SWT-A1-0000-000DE3 | LED COOL WHITE 5000K XLAMP SMD |
| MX6AWT-A1-R250-000D51 | LED XLAMP COOL WHITE 6500K SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MW6S004NT1_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010GMR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MW6S010GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MW6S010GNR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET |
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