- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录96 > MW6S004NT1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MW6S004NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 498K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 50mA |
| 功率 - 输出： | 4W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MW6S004NT1DKR |
MW6S004NT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 466-03
ISSUE D
PLD 1.5
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1984.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,
AND X.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.255 0.265 6.48 6.73
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.065 0.072 1.65 1.83
D
0.130 0.150 3.30 3.81
E
0.021 0.026 0.53 0.66
F
0.026 0.044 0.66 1.12
YYG
0.050 0.070 1.27 1.78
H
0.045 0.063 1.14 1.60
K
0.273 0.285 6.93 7.24
L
0.245 0.255 6.22 6.48
N
0.230 0.240 5.84 6.10
P
0.000 0.008 0.00 0.20
Q
0.055 0.063 1.40 1.60
R
0.200 0.210 5.08 5.33
S
0.006 0.012 0.15 0.31
U
0.006 0.012 0.15 0.31
ZONE V
0.000 0.021 0.00 0.53
ZONE W
0.000 0.010 0.00 0.25
ZONE X
0.000 0.010 0.00 0.25
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
J
0.160 0.180 4.06 4.57
A
B
D
F
L
R
3
4
2
1
K
N
ZONE V
ZONE W
ZONE X
G
S
H
U
10 DRAFT
P
C
E
0.35 (0.89) X 45 5
Q
VIEW Y-Y
4
2
1
3
PLASTIC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW6S010GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW |
| MW6S010MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| MX3AWT-A1-R250-000D51 | LED COOL WHITE 6500K 2PLCC |
| MX3SWT-A1-0000-000DE3 | LED COOL WHITE 5000K XLAMP SMD |
| MX6AWT-A1-R250-000D51 | LED XLAMP COOL WHITE 6500K SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MW6S004NT1_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010GMR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MW6S010GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MW6S010GNR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。